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AS7C33512NTD36A-200BC

更新时间: 2024-11-24 14:48:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 369K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

AS7C33512NTD36A-200BC 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:165
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.64
Is Samacsys:N最长访问时间:7.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e0长度:15 mm
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:36功能数量:1
端子数量:165字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX36封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:13 mmBase Number Matches:1

AS7C33512NTD36A-200BC 数据手册

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May 2003  
Advance Information  
AS7C33512NTD32A  
AS7C33512NTD36A  
&
TM  
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Features  
• Organization: 524,288 words × 32 or 36 bits  
• NTD architecture for efficient bus operation  
Available in 100-pin TQFP and 165-ball BGA package  
Byte write enables  
™1  
Fast clock speeds to 200 MHz in LVTTL/ LVCMOS  
Fast clock to data access: 3/ 3.4/ 3.8 ns  
Fast OEaccess time: 3/ 3.4/ 3.8 ns  
Fully synchronous operation  
Clock enable for operation hold  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 3.3V core power supply  
• 2.5V or 3.3V I/ O operation with separate V  
DDQ  
Flow-through or pipelined mode  
Self-timed write cycles  
Asynchronous output enable control  
• Interleaved or linear burst modes  
Snooze mode for standby operation  
TM  
1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.  
Logic block diagram  
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Selection guide  
-200  
5
-166  
-133  
7.5  
Units  
ns  
Minimum cycle time  
6
Maximum pipelined clock frequency  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
200  
3.0  
400  
130  
70  
166  
3.4  
350  
120  
70  
133  
3.8  
MHz  
ns  
325  
110  
70  
mA  
mA  
mA  
Maximum standby current  
Maximum CMOS standby current (DC)  
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与AS7C33512NTD36A-200BC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C33512NTD36A-200BI ISSI

获取价格

ZBT SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165
AS7C33512NTD36A-200TQC ISSI

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ZBT SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
AS7C33512NTD36A-200TQI ISSI

获取价格

ZBT SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
AS7C33512NTD36A-250BI ALSC

获取价格

ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165
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ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C33512NTF18A ALSC

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3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-10TQC ALSC

获取价格

3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-10TQC ISSI

获取价格

ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100
AS7C33512NTF18A-10TQCN ISSI

获取价格

ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C33512NTF18A-10TQCN ALSC

获取价格

3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD