Datasheet > AS7C33512NTD36A-250TQI

AS7C33512NTD36A-250TQI

更新时间： 2024-11-24 14:50:43

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	367K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS7C33512NTD36A-250TQI 数据手册

浏览型号AS7C33512NTD36A-250TQI的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号AS7C33512NTD36A-250TQI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号AS7C33512NTD36A-250TQI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号AS7C33512NTD36A-250TQI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号AS7C33512NTD36A-250TQI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号AS7C33512NTD36A-250TQI的Datasheet PDF文件第7页

August 2002

Advance Information

AS7C33512NTD32A

AS7C33512NTD36A

ꢏꢐꢏꢑꢇꢒꢓꢔꢕꢇꢖꢇꢏꢔꢗꢏꢘꢇꢈꢙꢀꢚꢇꢛꢂꢍꢜꢇꢝ !

Features

• Organization: 524,288 words × 32 or 36 bits

• NTD architecture for efficient bus operation

• Available in 100-pin TQFP and 165-ball BGA package

• Byte write enables

™1

• Fast clock speeds to 250 MHz in LVTTL/ LVCMOS

• Fast clock to data access: 2.6/ 2.8/ 3/ 3.4 ns

• Fast OEaccess time: 2.6/ 2.8/ 3/ 3.4 ns

• Fully synchronous operation

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3V core power supply

• 2.5V or 3.3V I/ O operation with separate V

DDQ

• Flow-through or pipelined mode

• Self-timed write cycles

• Asynchronous output enable control

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.

Logic block diagram

ꢗꢘ

ꢆ

ꢀꢑꢗꢜꢝꢚꢖ

ꢅ

ꢀꢁꢁꢂꢃꢄꢄ

ꢂꢃꢊꢋꢄꢌꢃꢂ

-ꢎꢂꢄꢌ'" ꢊꢋꢕ

ꢇꢈꢉ

ꢀ

ꢆ

ꢇꢙꢚ

ꢇꢙꢗ

,ꢂꢋꢌꢃ'ꢁꢃ"ꢒ+

ꢒꢁꢁꢂ1'ꢂꢃꢊꢋꢄꢌꢃꢂꢄ

ꢇꢈꢉ

ꢗꢘ

ꢇꢙꢛ

ꢐ$,

-,ꢒ

ꢇ !ꢌꢂ "

" ꢊꢋꢕ

ꢇꢈꢉ

-,ꢔ

-,ꢕ

-,ꢁ

ꢀꢅ0'$'ꢈꢅ

&ꢗꢛꢉ'('#ꢛ$#%

)ꢐꢀ*

ꢈ-ꢍ

ꢇꢈꢉ

ꢀꢂꢂꢒ+

#ꢛ$#%

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢄꢆꢄꢇꢈ

ꢀꢁꢂꢁ

ꢃꢄꢅꢆꢂ

ꢅ

ꢆ

ꢇꢈꢉꢊꢋꢂꢈꢌ

ꢀꢁꢂꢀꢃ

#ꢛ$#%

ꢇꢈꢉ

#ꢛ$#%

ꢇꢈꢉ

ꢇꢙꢞ

ꢇꢈꢉ

ꢍꢎꢌꢏꢎꢌ

ꢐꢃꢊꢋꢄꢌꢃꢂ

ꢍꢙ

#ꢛ$#%

ꢍꢙ

ꢅꢆꢑꢒꢓꢔꢓꢕꢓꢁꢖ

Selection guide

-250

-225

-200

-166

Units

Minimum cycle time

Maximum pipelined clock frequency

Maximum pipelined clock access time

Maximum operating current

250

2.6

450

160

225

2.8

425

150

200

3.0

400

130

166

3.4

350

120

MHz

Maximum standby current

Maximum CMOS standby current (DC)

ꢉꢗꢘꢙꢘꢚꢛꢜꢉꢖꢔꢉꢚꢔꢗꢔꢗꢔꢙꢉꢊꢒꢖꢌꢍꢎꢏꢉꢝꢍ ꢁ

ꢀꢁꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢆꢉꢂꢅꢊꢄꢋꢌꢅꢍꢊꢎ

!ꢔꢉ"ꢉꢁ ꢉ"ꢗ

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢉ'ꢉꢊꢋꢋꢅꢌꢍꢎꢏꢉꢐꢏꢑꢅꢎꢁꢍꢒꢓꢎꢈꢁꢄꢔꢉꢊꢋꢋꢉꢄꢅꢆꢇꢈꢕꢉꢄꢏꢕꢏꢄꢖꢏꢒꢔ

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与AS7C33512NTD36A-250TQI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS7C33512NTF18A	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-10TQC	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-10TQC	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100
AS7C33512NTF18A-10TQCN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C33512NTF18A-10TQCN	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-10TQI	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100
AS7C33512NTF18A-10TQI	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-10TQIN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C33512NTF18A-10TQIN	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-65TQC	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100

与AS7C33512NTD36A-250TQI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AS7C33512NTD36A-250TQI

AS7C33512NTD36A-250TQI 数据手册

与AS7C33512NTD36A-250TQI相关器件

与AS7C33512NTD36A-250TQI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AS7C33512NTD36A-250TQI

AS7C33512NTD36A-250TQI 数据手册

与AS7C33512NTD36A-250TQI相关器件

与AS7C33512NTD36A-250TQI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？