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AS7C33512NTD36A-200TQI

更新时间： 2024-11-25 03:46:43

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
19页	369K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

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AS7C33512NTD36A-200TQI 数据手册

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May 2003

Advance Information

AS7C33512NTD32A

AS7C33512NTD36A

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Features

• Organization: 524,288 words × 32 or 36 bits

• NTD architecture for efficient bus operation

• Available in 100-pin TQFP and 165-ball BGA package

• Byte write enables

™1

• Fast clock speeds to 200 MHz in LVTTL/ LVCMOS

• Fast clock to data access: 3/ 3.4/ 3.8 ns

• Fast OEaccess time: 3/ 3.4/ 3.8 ns

• Fully synchronous operation

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3V core power supply

• 2.5V or 3.3V I/ O operation with separate V

DDQ

• Flow-through or pipelined mode

• Self-timed write cycles

• Asynchronous output enable control

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.

Logic block diagram

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Selection guide

-200

-166

-133

7.5

Units

Minimum cycle time

Maximum pipelined clock frequency

Maximum pipelined clock access time

Maximum operating current

200

3.0

400

130

166

3.4

350

120

133

3.8

MHz

325

110

Maximum standby current

Maximum CMOS standby current (DC)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AS7C33512NTF18A-10TQCN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C33512NTF18A-10TQCN	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-10TQI	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100
AS7C33512NTF18A-10TQI	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD
AS7C33512NTF18A-10TQIN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100

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