是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.52 |
最长访问时间: | 10 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX18 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS7C33512NTF18A-65TQC | ISSI |
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ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100 | |
AS7C33512NTF18A-65TQCN | ISSI |
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ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQPF-100 | |
AS7C33512NTF18A-65TQI | ISSI |
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ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100 | |
AS7C33512NTF18A-65TQIN | ISSI |
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ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQPF-100 | |
AS7C33512NTF18A-75TQC | ALSC |
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3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD | |
AS7C33512NTF18A-75TQC | ISSI |
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ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100 | |
AS7C33512NTF18A-75TQCN | ALSC |
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3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD | |
AS7C33512NTF18A-75TQCN | ISSI |
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ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 | |
AS7C33512NTF18A-75TQI | ALSC |
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3.3V 512K x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD | |
AS7C33512NTF18A-75TQI | ISSI |
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ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQPF-100 |