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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TBGA, | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.5 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8.5 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 18874368 bit | 内存集成电路类型： | ZBT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX18 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 13 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS7C331MNTD18A-100BI | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 |
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| AS7C331MNTD18A-100TQC | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
|
| AS7C331MNTD18A-100TQI | ISSI |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
|
| AS7C331MNTD18A-133BIN | ALSC |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165 |
|
| AS7C331MNTD18A-133TQC | ALSC |
获取价格 |
3.3V 1M x 18 Pipelined SRAM with NTD |
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| AS7C331MNTD18A-133TQCN | ALSC |
获取价格 |
3.3V 1M x 18 Pipelined SRAM with NTD |
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| AS7C331MNTD18A-133TQI | ALSC |
获取价格 |
3.3V 1M x 18 Pipelined SRAM with NTD |
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| AS7C331MNTD18A-133TQIN | ALSC |
获取价格 |
3.3V 1M x 18 Pipelined SRAM with NTD |
|
| AS7C331MNTD18A-166BIN | ALSC |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165 |
|
| AS7C331MNTD18A-166TQC | ALSC |
获取价格 |
3.3V 1M x 18 Pipelined SRAM with NTD |
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