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AS7C331MNTD18A-225TQC

更新时间: 2024-11-03 03:20:31
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 371K
描述
ZBT SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

AS7C331MNTD18A-225TQC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.74
最长访问时间:6.9 ns其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:100
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm

AS7C331MNTD18A-225TQC 数据手册

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December 2002  
Advance Information  
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TM  
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Features  
• Organization: 1,048,576 words × 18 bits  
• NTD architecture for efficient bus operation  
Available in 100-pin TQFP and 165-ball BGA package  
Byte write enables  
™1  
Fast clock speeds to 250 MHz in LVTTL/ LVCMOS  
Fast clock to data access: 2.6/ 2.8/ 3/ 3.4 ns  
Fast OEaccess time: 2.6/ 2.8/ 3/ 3.4 ns  
Fully synchronous operation  
Clock enable for operation hold  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 3.3V core power supply  
• 2.5V or 3.3V I/ O operation with separate V  
DDQ  
Flow-through or pipelined mode  
Self-timed write cycles  
Asynchronous output enable control  
• Interleaved or linear burst modes  
Snooze mode for standby operation  
TM  
1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.  
Logic block diagram  
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Selection guide  
-250  
4
-225  
4.4  
-200  
-166  
6
Units  
ns  
Minimum cycle time  
5
Maximum pipelined clock frequency  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
250  
2.6  
425  
110  
70  
225  
2.8  
200  
3.0  
370  
110  
70  
166  
3.4  
340  
90  
MHz  
ns  
400  
110  
70  
mA  
mA  
mA  
Maximum standby current  
Maximum CMOS standby current (DC)  
70  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C331MNTD18A-225TQI ISSI

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ZBT SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C331MNTD18A-250BC ISSI

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AS7C331MNTD18A-250TQC ISSI

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ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C331MNTD32A ALSC

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3.3V 1M x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C331MNTD32A-133BCN ALSC

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ZBT SRAM, 1MX32, 3.8ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
AS7C331MNTD32A-133BIN ALSC

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ZBT SRAM, 1MX32, 3.8ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
AS7C331MNTD32A-133TQC ALSC

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3.3V 1M x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C331MNTD32A-133TQCN ALSC

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3.3V 1M x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C331MNTD32A-133TQI ALSC

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3.3V 1M x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C331MNTD32A-133TQIN ALSC

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3.3V 1M x 32/36 Pipelined SRAM with NTD