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AS6VA25616-55TC

更新时间： 2024-02-11 20:30:49
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 140K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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AS6VA25616-55TC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：55 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS6VA25616-55TC 数据手册

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AS6VA25616  
®
Typical DC and AC characteristics  
Normalized supply current  
vs. supply voltage  
1.4  
Normalized access time  
vs. supply voltage  
Normalized standby current  
vs. ambient temperature  
1.0  
3.0  
2.5  
2.0  
1.2  
V
= V typ  
CC  
IN  
V
V
= V typ  
CC  
CC  
IN  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
0.75  
0.5  
T = 25  
°
C
A
= V typ  
CC  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
T = 25° C  
A
0.25  
0.0  
–
0.5  
1.7  
2.2  
2.7  
3.2  
3.7  
1.7  
2.2  
2.7  
3.2  
3.7  
–
55  
25  
Ambient temperature (°C)  
105  
Supply voltage (V)  
Supply Voltage (V)  
Normalized standby current  
vs. supply voltage  
Normalized I  
CC  
vs. Cycle Time  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
1.5  
I
SB2  
V
= 3.3V  
T = 25° C  
CC  
1.0  
A
0.50  
0.10  
V
= V typ  
CC  
IN  
T = 25° C  
A
1
5
10  
15  
2.8  
1.9  
Supply voltage (V)  
1
3.7  
Supply voltage (V)  
Package diagrams and dimensions  
44-pin TSOP 2  
c
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23  
Min  
Max  
(mm)  
(mm)  
A
A1  
A2  
b
1.2  
H
e
44-pin TSOP 2  
e
0.05  
0.95  
0.25  
1.05  
0.45  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  
c
0.15 (typical)  
d
d
18.28  
10.06  
11.56  
18.54  
10.26  
11.96  
e
l
A
2
A
0–5°  
He  
E
A
1
0.80 (typical)  
E
b
l
0.40  
0.60  
5/25/01; v.1.2  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 9  
1...456789

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