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AS6VA25616-55TC

更新时间： 2024-01-24 14:55:28
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 140K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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AS6VA25616-55TC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：55 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS6VA25616-55TC 数据手册

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AS6VA25616  
®
Write cycle (over the operating range)11  
Parameter  
Symbol  
tWC  
tCW  
tAW  
tAS  
Min  
Max  
–
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
12  
Write cycle time  
55  
40  
40  
0
Chip select to write end  
Address setup to write end  
Address setup time  
–
–
–
12  
Write pulse width  
tWP  
tAH  
tDW  
tDH  
35  
0
–
Address hold from end of write  
Data valid to write end  
–
25  
0
–
Data hold time  
–
4, 5  
4, 5  
4, 5  
Write enable to output in high Z  
Output active from write end  
UB/LB low to end of write  
Shaded areas indicate preliminary information.  
tWZ  
tOW  
tBW  
0
20  
–
5
35  
–
Write waveform 1 (WE controlled)10,11  
t
t
WC  
Address  
t
AH  
CW  
CS  
t
BW  
LB, UB  
t
AW  
t
t
AS  
WP  
WE  
t
t
DH  
DW  
Data valid  
D
IN  
t
WZ  
t
OW  
D
Data undefined  
OUT  
High Z  
Write waveform 2 (CS controlled)10,11  
t
WC  
Address  
t
t
AS  
AH  
t
CW  
CS  
t
AW  
t
BW  
LB, UB  
WE  
t
WP  
t
t
DH  
DW  
Data valid  
High Z  
D
IN  
t
t
CLZ  
WZ  
t
OW  
D
Data undefined  
OUT  
High Z  
5/25/01; v.1.2  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 9  
123456789

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