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AS4LC2M8S1-12TC

更新时间： 2022-01-13 09:21:43

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ALSC		动态存储器
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28页	692K
描述
3.3V 2M x 8/1M x 16 CMOS synchronous DRAM

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AS4LC2M8S1-12TC 数据手册

AS4LC2M8S1

AS4LC1M16S1

Interleaved bank read waveform

(BL = 8, CL = 3)

CLK

RAS

CAS

A11

RCD

A10

DQM

CKE

QA QA

a0 a1

QA QA QA

QB QB

b0 b1

QB QB

Active

Read

Bank A: Active

Bank B:

Precharge

Read

Precharge

Active

Read

Precharge

Interleaved bank read waveform

(BL = 8, CL = 3, Autoprecharge)

CLK

RAS

CAS

A11

RCD

A10

DQM

CKE

QA QA

a5 a6

QA QB

a7 b0

RRD

Read

Bank A Active

Bank B

Read

Active

AP = internal precharge begins

ALLIANCE SEMICONDUCTOR

7/ 5/ 00

1...23 24 252627 28

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