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AS4LC4M16DG-6/IT

更新时间： 2024-02-04 07:13:21

品牌	Logo	应用领域
MICROSS		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	521K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50,

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AS4LC4M16DG-6/IT 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
针数：	50	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	60 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	50
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

AS4LC4M16DG-6/IT 数据手册

DRAM

AS4LC4M16

Austin Semiconductor, Inc.

4 MEG x 16 DRAM

PIN ASSIGNMENT

Extended Data Out (EDO) DRAM

(Top View)

50-Pin TSOP (DG)

FEATURES

• Single +3.3V ±0.3V power supply.

• Industry-standard x16 pinout, timing, functions, and

package.

• 12 row, 10 column addresses

• High-performance CMOS silicon-gate process

• All inputs, outputs and clocks are LVTTL-compatible

• Extended Data-Out (EDO) PAGE MODE access

• 4,096-cycle CAS\-BEFORE-RAS\ (CBR) REFRESH

distributed across 64ms

• Optional self refresh (S) for low-power data retention

• Level 1 Moisture Sensitivity Rating, JEDEC J-STD-020

OPTIONS

• Package(s)

MARKINGS

50-pin TSOP (400-mil)

• Timing

50ns access

-5

-6

60ns access

Configuration

Refresh

Row Address

Column Addressing

4 Meg x 16

A0-A11

A0-A9

• Refresh Rates

Standard Refresh

Self Refresh

None

• Operating Temperature Ranges

Military (-55°C to +125°C)

Industrial (-40°C to +85°C)

NOTE: The \ symbol indicates signal is active LOW.

*Contact factory for availability. Self refresh option available on IT

version only.

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

KEY TIMING PARAMETERS

t_RC

t_RAC

t_PC

t_AA

t_CACt_CAS

SPEED

-5

-6

84ns 50ns 20ns 25ns 13ns 8ns

104ns 60ns 25ns 30ns 15ns 10ns

AS4LC4M16

AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.

Rev. 1.0 7/02

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4LC4M16DG-6/XT	MICROSS	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50	获取价格
AS4LC4M16DG-6S/IT	AUSTIN	4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM	获取价格
AS4LC4M16DG-6S/XT	AUSTIN	4 MEG x 16 DRAM	获取价格
AS4LC4M16S0	ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM	获取价格
AS4LC4M16S0-10FTC	ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM	获取价格
AS4LC4M16S0-10TC	ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM	获取价格