生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP |
针数: | 50 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.75 | 最长访问时间: | 50 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G50 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 50 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP50,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.165 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AS4LC4M16DG-5/XT | MICROSS | EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50 |
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AS4LC4M16DG-5S/IT | AUSTIN | 4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM |
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AS4LC4M16DG-5S/XT | AUSTIN | 4 MEG x 16 DRAM |
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AS4LC4M16DG-6/IT | MICROSS | EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, |
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AS4LC4M16DG-6/XT | MICROSS | EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50 |
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AS4LC4M16DG-6S/IT | AUSTIN | 4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM |
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