Datasheet > 存储 > DRAM> AS4C14405-70JC

AS4C14405-70JC

更新时间： 2024-01-10 16:14:35

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
16页	395K
描述
1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS4C14405-70JC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP20/26(UNSPEC)	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP20/26(UNSPEC)
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

AS4C14405-70JC 数据手册

AS4C14400

Timing waveform of read cycle

t_RC

t_RAS

t_RCD

t_RSH

t_RP

RAS

t_CSH

t_RCS

t_CAH

t_CRP

t_ASC

t_CAS

CAS

t_AR

t_RAD

t_RAL

t_RAH

t_ASR

Row

Address

Column

t_RRH

t_RCH

t_ROH

t_OEZ

t_RAC

t_AA

t_OEA

t_CAC

t_OFF

t_CLZ

I/O

Data Out

Timing waveform of early write cycle

t_RC

t_RAS

t_RP

RAS

t_CSH

t_RSH

t_CRP

t_RCD

t_CAS

CAS

t_AWR

t_RAD

t_RAL

t_CAH

t_ASC

t_ASR

t_RAH

Row

Column

t_WCR

Address

t_CWL

t_RWL

t_WP

t_WCS

t_WCH

t_DHR

t_DS

t_DH

Data In

I/O

1...5 6 789 10 11...16

下载PDF

与AS4C14405-70JC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4C14405-70TC	ALSC	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)	获取价格
AS4C16M16D1	ALSC	Fully synchronous operation	获取价格
AS4C16M16D1-5BCN	ALSC	Fully synchronous operation	获取价格
AS4C16M16D1-5BIN	ALSC	Fully synchronous operation	获取价格
AS4C16M16D1-5TCN	ALSC	Fully synchronous operation	获取价格
AS4C16M16D1-5TIN	ALSC	Fully synchronous operation	获取价格