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AS4C14405-70JC

更新时间： 2024-02-29 12:32:09

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
16页	395K
描述
1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

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技术参数
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AS4C14405-70JC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP20/26(UNSPEC)	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP20/26(UNSPEC)
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

AS4C14405-70JC 数据手册

AS4C14400

Timing waveform of fast page mode read cycle

t_RASP

t_RP

RAS

t_CSH

t_RSH

t_CRP

t_RCD

t_CAS

t_CP

t_PC

CAS

t_AR

t_RAD

t_RAL

t_CAH

Column

t_ASC

t_ASR

t_RAH

Row

Column

t_RCS

Column

t_RCS

Address

t_RRH

t_RCH

t_OEA

t_RAC

t_OEZ

t_OFF

t_CLZ

t_CAP

t_AA

Data Out

t_CAC

Data Out

I/O

Timing waveform of fast page mode early write cycle

t_RASP

t_RAH

t_RWL

RAS

t_CRP

t_RCD

t_PC

t_CAH

t_CSH

t_ASC

t_WCS

t_CAS

t_CP

t_RSH

CAS

t_RAL

t_AR

t_ASR

t_RAD

Address

Row

Column

t_CWL

t_WP

t_WCH

t_OEH

t_HDR

t_OED

t_DH

t_DS

I/O

Data In

1...7 8 91011 12 13...16

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