5秒后页面跳转
AS4C16M16D1A-5TIN PDF预览

AS4C16M16D1A-5TIN

更新时间: 2024-02-06 14:50:23
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
64页 2070K
描述
Auto Refresh and Self Refresh

AS4C16M16D1A-5TIN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:2.28访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G66长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS4C16M16D1A-5TIN 数据手册

 浏览型号AS4C16M16D1A-5TIN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS4C16M16D1A-5TIN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4C16M16D1A-5TIN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4C16M16D1A-5TIN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4C16M16D1A-5TIN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4C16M16D1A-5TIN的Datasheet PDF文件第7页 
16Mx16 DDR1-AS4C16M16D1A  
Revision History  
AS4C16M16D1A - 66-pin TSOPII PACKAGE  
Revision Details  
Date  
Rev 1.1  
Preliminary datasheet  
July 2015  
Alliance Memory Inc. 511 Taylor Way, San Carlos, CA 94070 TEL: (650) 610-6800 FAX: (650) 620-9211  
Alliance Memory Inc. reserves the right to change products or specification without notice  
Confidential  
- 1/64 -  
Rev.1.1  
July 2015  

与AS4C16M16D1A-5TIN相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS4C16M16D2-25BCN ALSC fully sunchronous operation

获取价格

AS4C16M16D2-25BIN ALSC fully sunchronous operation

获取价格

AS4C16M16MD1 ALSC Programmable output buffer driver strength

获取价格

AS4C16M16MD1-6BCN ALSC Programmable output buffer driver strength

获取价格

AS4C16M16S ALSC Programmable Mode registers

获取价格

AS4C16M16S-5TCN ALLIED 16MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5ns, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAST

获取价格