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Datasheet > 存储 > DRAM> AS4C14405-70JC
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AS4C14405-70JC

更新时间： 2024-02-21 08:34:12
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 395K
描述
1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

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AS4C14405-70JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP20/26(UNSPEC)Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：4
端子数量：20字数：1048576 words
字数代码：1000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP20/26(UNSPEC)
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.06 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

AS4C14405-70JC 数据手册

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AS4C14400  
®
Fast page mode cycle  
-40  
-50  
-60  
-70  
Symbol  
Parameter  
Min  
30  
–
Max  
–
Min  
Max  
–
Min  
40  
–
Max  
–
Min  
45  
–
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
14  
Read-write cycle time  
(fast page)  
t
t
t
t
t
t
35  
–
PC  
Access time from CAS precharge  
25  
–
30  
–
35  
–
40  
–
ns  
13  
CAP  
CP  
CAS precharge time  
(fast page)  
5
10  
76  
54  
50  
10  
85  
60  
60  
10  
96  
69  
70  
ns  
Fast page mode RMW cycle  
65  
45  
40  
–
–
–
–
ns  
PCM  
CRW  
RASP  
Page mode CAS pulse width  
(RMW)  
–
–
–
–
ns  
RAS pulse width  
100K  
100K  
100K  
100K  
ns  
Shaded areas contain advance information.  
Refresh cycle  
-40  
-50  
-60  
-70  
Symbol  
Parameter  
Min  
10  
10  
0
Max  
–
Min  
10  
10  
0
Max  
–
Min  
10  
15  
0
Max  
–
Min  
10  
15  
0
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
3
t
t
t
CAS setup time (CAS-before-RAS)  
CAS hold time (CAS-before-RAS)  
RAS precharge to CAS hold time  
CSR  
CHR  
RPC  
–
–
–
–
ns  
3
–
–
–
–
ns  
CAS precharge time  
(CAS-before-RAS counter test)  
t
5
–
10  
–
10  
–
10  
–
ns  
CPT  
Shaded areas contain advance information.  
Output enable  
-40  
-50  
-60  
-70  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
5
Max  
–
Min  
10  
–
Max  
–
Min  
10  
–
Max  
–
Min  
10  
–
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
t
t
t
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
ROH  
OEA  
OED  
–
10  
–
13  
–
15  
–
18  
–
ns  
OE to data delay  
10  
13  
15  
18  
ns  
Output buffer turnoff delay  
from OE  
t
t
–
10  
–
–
13  
–
–
15  
–
–
18  
–
ns  
ns  
8, 10  
OEZ  
OE command hold time  
10  
13  
15  
18  
OEH  
Shaded areas contain advance information.  
6
1...3456789...16

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