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AS29LV800B-70RTC

更新时间： 2024-10-27 23:16:19

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ANADIGICS		闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

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AS29LV800

March 2001

AC test conditions

+3.0V

1N3064

or equivalent

^2.7KΩ

Device under test

^6.2KΩ

C_L*

1N3064

or equivalent

V_SS

Test specifications

Test Condition

-70R,-80

-90, -120

1 TTL gate

100

Unit

Output Load

Output Load Capacitance C_L(including jig capacitance)

Input Rise and Fall Times

Input Pulse Levels

0.0-3.0

1.5

Input timing measurement reference levels

Output timing measurement reference levels

1.5

Erase and programming performance

Limits

Parameter

Min

Typical

Max

Unit

sec

Sector erase and verify-1 time (excludes 00h programming

prior to erase)

1.0

Byte

300

360

µs

Programming time

Word

Chip programming time

Erase/program cycles^*

7.2

sec

100,000

cycles

* Erase/program cycle test is not verified on each shipped unit.

Latchup tolerance

Parameter

Min

-1.0

-0.5

-100

Max

+12.0

Unit

Input voltage with respect to V_SSon A9, OE, and RESET pin

Input voltage with respect to V_SSon all DQ, address, and control pins

VCC+0.5

+100

Current

Includes all pins except V_CC. Test conditions: V_CC= 3.0V, one pin at a time.

3/22/01; V.1.0

Alliance Semiconductor

P. 22 of 25

1...19 20 212223 24 25

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