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AS29LV800B-70RTC

更新时间: 2024-02-22 01:16:33
品牌 Logo 应用领域
ANADIGICS 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 440K
描述
3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

AS29LV800B-70RTC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.28最长访问时间:70 ns
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,15端子数量:48
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

AS29LV800B-70RTC 数据手册

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March 2001  
AS29LV800  
®
Word/byte configuration  
-70R/80/90/120  
JEDEC  
Symbol Std Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
10  
30  
-
Unit  
ns  
-
-
-
tELFL/tELFH  
tFLQZ  
-
-
CE to BYTE switching Low or High  
BYTE switching Low to output High-Z  
BYTE switching High to output Active  
ns  
ns  
tFHQZ  
80  
BYTE read waveform  
CE  
OE  
BYTE  
Word  
tELFL  
DQ0-DQ14  
Data output  
DQ0-DQ7  
Data output  
DQ0-DQ14  
DQ15/A-1  
BYTE  
to  
Byte  
DQ15 output  
tFLQZ  
Address input  
tELFH  
Byte  
to  
Word  
DQ0-DQ14  
Data output  
DQ0-DQ7  
Data output  
DQ0-DQ14  
DQ15/A-1  
Address input  
tFHQV  
DQ15 output  
BYTE write waveform  
CE  
falling edge of last WE signal  
WE  
BYTE  
tSET  
See Erase/Program operations table for tAS and tAH specifications.  
(tAS  
)
tHOLD (tAH)  
Sector protect/unprotect  
VID  
VIH  
RESET#  
SA, A6,  
A1, A0  
Don’t care  
Valid*  
60h  
Don’t care  
Don’t care  
Valid*  
Don’t care  
Don’t care  
Valid*  
Status  
Sector protect/unprotect  
Verify  
40h  
60h  
DATA  
Sector protect: 100 µs  
Sector unprotect: 10 ms  
1 µs  
CE#  
WE#  
OE#  
3/22/01; V.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 21 of 25  

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