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AS29LV800B-70RTC

更新时间: 2024-10-27 23:16:19
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ANADIGICS 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 440K
描述
3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

AS29LV800B-70RTC 数据手册

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March 2001  
AS29LV800  
®
AC parameters — temporary sector unprotect  
-70R/80/90/120  
JEDEC  
Symbol  
Std Symbol  
tVIDR  
Parameter  
rise and fall time  
Min  
Max  
-
Unit  
ns  
V
500  
ID  
RESET setup time for temporary sector  
unprotect  
tRSP  
4
-
µs  
Temporary sector unprotect waveform  
10V  
RESET  
0 or 3V  
tVIDR  
0 or 3V  
tVIDR  
Program/erase command sequence  
CE  
WE  
tRSP  
RY/BY  
AC parameters — RESET  
-70R/80/90/120  
JEDEC  
Symbol  
Std Symbol  
tRP  
Parameter  
Min  
Max  
-
Unit  
ns  
RESET pulse  
500  
tRH  
-
-
50  
10  
ns  
RESET High time before Read  
RESET Low to Read mode  
tREADY  
µs  
RESET waveform  
tRP  
tRP  
RESET  
tREADY  
RY/BY  
tRH  
status  
status  
valid data  
valid data  
DQ  
Erase waveform  
×16 mode  
tWC  
tAS  
Addresses  
CE  
555h  
2AAh  
555h  
tAH  
555h  
2AAh  
Sector address  
t
GHWL  
OE  
t
t
WC  
WP  
WE  
t
WPH  
t
CS  
10h for Chip Erase  
30h  
t
DH  
AAh  
55h  
80h  
AAh  
55h  
Data  
t
DS  
3/22/01; V.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 19 of 25  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
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Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48
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3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
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