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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 | 针数： | 35 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.06 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 35 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-XUFM-X35 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 35 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 153 ns | 标称接通时间 (ton)： | 52 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGF50X60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF530U120D4G | MICROSEMI |
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Single switch NPT IGBT Power Module |
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| APTGF660U60D4 | ADPOW |
获取价格 |
Single switch NPT IGBT Power Module |
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| APTGF660U60D4G | MICROSEMI |
获取价格 |
Single switch NPT IGBT Power Module |
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| APTGF75DA120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF75DA60D1 | ADPOW |
获取价格 |
Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF75DA60D1G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| APTGF75DDA120T | ADPOW |
获取价格 |
Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF75DDA120TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF75DH120T | ADPOW |
获取价格 |
Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
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