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APT1101R2BFLL

更新时间： 2024-01-24 19:00:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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APT1101R2BFLL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：298 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
Base Number Matches：1

APT1101R2BFLL 数据手册

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DYNAMIC CHARACTERISTICS  
APT1101R2BFLL_SFLL  
Symbol  
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
TestConditions  
MIN  
TYP  
MAX  
Characteristic  
UNIT  
Input Capacitance  
1900  
305  
50  
V
= 0V  
GS  
pF  
V
= 25V  
Output Capacitance  
DS  
f = 1 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
3
V
= 10V  
Total Gate Charge  
90  
GS  
V
= 550V  
Qgs  
nC  
ns  
DD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain ("Miller") Charge  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
12  
I
= 10A @ 25°C  
D
Qgd  
60  
RESISTIVESWITCHING  
td(on)  
tr  
12  
V
= 15V  
GS  
7
V
= 550V  
DD  
td(off)  
32  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
I
= 10A @ 25°C  
D
tf  
R
= 1.6Ω  
14  
G
INDUCTIVESWITCHING@25°C  
6
Eon  
Eoff  
285  
56  
Turn-on Switching Energy  
V
= 733V, V = 15V  
GS  
DD  
I
Turn-off Switching Energy  
= 10A, R = 5Ω  
D
G
µJ  
INDUCTIVESWITCHING@125°C  
6
Eon  
Eoff  
Turn-on Switching Energy  
525  
70  
V
= 733V, V = 15V  
GS  
DD  
Turn-off Switching Energy  
I
= 10A, R = 5Ω  
D
G
SOURCE-DRAINDIODERATINGSANDCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
UNIT  
IS  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Amps  
1
ISM  
VSD  
Pulsed Source Current  
Diode Forward Voltage  
(Body Diode)  
40  
2
Volts  
V/ns  
(VGS = 0V, IS = -10A)  
1.3  
18  
dv  
/
dv  
5
Peak Diode Recovery  
/
dt  
dt  
Reverse Recovery Time  
(IS = -10A, di/dt = 100A/µs)  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
210  
710  
trr  
ns  
µC  
Reverse Recovery Charge  
(IS = -10A, di/dt = 100A/µs)  
.07  
2.0  
10  
Qrr  
Peak Recovery Current  
(IS = -10A, di/dt = 100A/µs)  
IRRM  
Amps  
15  
THERMALCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic  
MIN  
TYP  
MAX  
0.42  
40  
UNIT  
RθJC  
RθJA  
Junction to Case  
°C/W  
Junction to Ambient  
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction  
temperature  
4 Starting T = +25°C, L = 24.20mH, R = 25Ω, Peak I = 10A  
j
G
L
dv  
5
/
numbers reflect the limitations of the test circuit rather than the  
di  
dt  
2 Pulse Test: Pulse width < 380 µs, Duty Cycle < 2%  
3 See MIL-STD-750 Method 3471  
device itself.  
I
≤ I -10A  
/
≤ 700A/µs  
V
R ≤ 1100 T ≤ 150°C  
dt  
S
D
J
6
Eon includes diode reverse recovery. See figures 18, 20.  
APTReservestherighttochange,withoutnotice,thespecificationsandinformationcontainedherein.  
0.45  
0.40  
0.9  
0.35  
0.7  
0.30  
0.25  
0.5  
0.20  
Note:  
t
1
0.15  
0.3  
t
2
0.10  
t
1
Duty Factor D =  
Peak T = P x Z  
/
t
2
+ T  
0.1  
SINGLEPULSE  
10-3  
0.05  
0
J
DM θJC  
C
0.05  
10-5  
10-4  
10-2  
10-1  
1.0  
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)  
FIGURE1,MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvsPULSEDURATION  
12345

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