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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.04 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 245 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 30 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 935 ns | 标称接通时间 (ton)： | 100 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| APT100GN120B2G | MICROSEMI |
功能相似  |
Thunderbolt IGBT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT100GN120B2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT100GN120J | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT100GN120J | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN120JDQ4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT100GN60B2 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN60B2G | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN60B2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT100GN60LDQ4 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN60LDQ4G | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN60LDQ4G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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