是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | ISOTOP |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.33 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas): | 3350 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 103 A | 最大漏源导通电阻: | 0.036 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 490 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT100M50J_09 | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET | |
APT100S20B | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE | |
APT100S20B | ADPOW |
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HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE | |
APT100S20BG | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE | |
APT100S20LCT | ADPOW |
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HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODES | |
APT100S20LCT | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE | |
APT100S20LCTG | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 120A, 200V V(RRM), Silicon, TO-264AA, TO-26 | |
APT102GA60B2 | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT | |
APT102GA60L | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT | |
APT-104 | ABRACON |
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LAN COUPLING TRANSFORMERS |