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APT100GT60B2RG

更新时间： 2024-09-30 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 168K
描述
Thunderbolt IGBT

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APT100GT60B2RG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-247包装说明：ROHS COMPLIANT, TMAX-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.02其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：148 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：30 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：500 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：450 ns标称接通时间 (ton)：115 ns
Base Number Matches：1

APT100GT60B2RG 数据手册

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APT100GT60B2R(G)  
APT100GT60LR(G)  
600V, 100A, V  
= 2.1V Typical  
CE(ON)  
Thunderbolt IGBT®  
The Thunderbolt IGBT® is a new generation of high voltage power IGBTs. Using  
Non-Punch-Through Technology, the Thunderbolt IGBT® offers superior rugged-  
ness and ultrafast switching speed.  
Features  
• RBSOA and SCSOA Rated  
G
C
E
• Low Forward Voltage Drop  
• Low Tail Current  
G
C
E
• High Frequency Switching to 50KHz  
• Ultra Low Leakage Current  
• Integrated Gate Resistor  
Low EMI, High Reliability  
• RoHS Compliant  
C
G
E
Maximum Ratings  
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
600  
VCES  
Volts  
±30  
VGE  
IC1  
148  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current @ TC = 100°C  
Pulsed Collector Current 1  
80  
300  
Amps  
IC2  
ICM  
SSOA  
PD  
300A @ 600V  
500  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
Total Power Dissipation  
Watts  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
TJ, TSTG  
Static Electrical Characteristics  
Characteristic / Test Conditions  
Unit  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
-
V(BR)CES  
600  
-
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 4mA)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1.5mA, Tj = 25°C)  
Collector Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 100A, Tj = 25°C)  
Collector Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 100A, Tj = 125°C)  
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C) 2  
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C) 2  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±30V)  
VGE(TH)  
3
5
Volts  
1.7  
2.1  
2.5  
-
2.5  
-
VCE(ON)  
-
-
-
-
25  
μA  
ICES  
IGES  
-
1000  
300  
-
nA  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
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