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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.16 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 245 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 935 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| APT75GN120B2G | MICROSEMI |
类似代替  |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT100GN120B2 | MICROSEMI |
功能相似 |
Thunderbolt IGBT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT100GN120J | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT100GN120J | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
|
| APT100GN120JDQ4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT100GN60B2 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN60B2G | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
|
| APT100GN60B2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT100GN60LDQ4 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
|
| APT100GN60LDQ4G | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN60LDQ4G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT100GT120JR | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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