Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

更新时间： 2024-11-17 12:47:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体半导体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
44页	2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT100GN60LDQ4G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	229 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	435 ns	标称接通时间 (ton)：	96 ns
Base Number Matches：	1

Power Matters.

POWER PORTFOLIO 2012-2013

Power Semiconductors

Power Modules

RF Power MOSFETs

12 3 4 5 6 7...44

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT100GT120JR	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT100GT120JRDL	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode IGBT
APT100GT120JRDLG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 123A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, I
APT100GT120JRDQ4	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT100GT120JU2	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Boost chopper Trench + Field Stop IGBT
APT100GT120JU2-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silicon ty
APT100GT120JU3	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT100GT120JU3	ADPOW	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT100GT120JU3-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silicon typ
APT100GT60B2R	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT