是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | ISOTOP | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.59 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 123 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SINGLE | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 570 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 747 ns | 标称接通时间 (ton): | 150 ns |
VCEsat-Max: | 3.7 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT100GT120JRDL | MICROSEMI |
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Resonant Mode IGBT | |
APT100GT120JRDLG | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 123A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, I | |
APT100GT120JRDQ4 | MICROSEMI |
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Thunderbolt IGBT | |
APT100GT120JU2 | MICROSEMI |
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ISOTOP Boost chopper Trench + Field Stop IGBT | |
APT100GT120JU2-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silicon ty | |
APT100GT120JU3 | MICROSEMI |
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ISOTOP Buck chopper Trench IGBT | |
APT100GT120JU3 | ADPOW |
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ISOTOP Buck chopper Trench IGBT | |
APT100GT120JU3-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silicon typ | |
APT100GT60B2R | MICROSEMI |
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Thunderbolt IGBT | |
APT100GT60B2RG | MICROSEMI |
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Thunderbolt IGBT |