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APT100GT120JRDL PDF预览

APT100GT120JRDL

更新时间： 2024-09-30 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 229K
描述
Resonant Mode IGBT

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APT100GT120JRDL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOTOP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：123 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：570 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：747 ns
标称接通时间 (ton)：150 nsVCEsat-Max：3.7 V
Base Number Matches：1

APT100GT120JRDL 数据手册

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1200V  
APT100GT120JRDL  
Resonant Mode IGBT®  
The Thunderbolt IGBT® used in this Resonant Mode Combi is a new generation of high  
E
E
voltage power IGBTs. Using Non- Punch Through Technology, the Thunderblot IGBT® of-  
fers superior ruggedness and ultrafast switching speed.  
7
2
2
-
C
G
T
O
S
Typical Applications  
Features  
•
•
•
•
•
Induction Heating  
Welding  
•
•
SSOA Rated  
•
•
•
•
•
Low Conduction Loss  
"UL Recognized"  
file # E145592  
ISOTOP®  
RoHS Compliant  
Low Gate Charge  
C
E
Medical  
Ultrafast Tail Current shutoff  
Low forward Diode Voltage (VF)  
Ultrasoft Recovery Diode  
High Power Telecom  
G
Resonant Mode Phase Shifted  
Bridge  
Maximum Ratings  
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.  
APT100GT120JRDL  
Parameter  
Unit  
Symbol  
VCES  
VGE  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
1200  
Volts  
±20  
123  
IC1  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current @ TC = 100°C  
Pulsed Collector Current 1  
67  
IC2  
Amps  
200  
ICM  
SSOA  
200A @ 1200V  
570  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
Total Power Dissipation  
Watts  
°C  
PD  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063” from Case for 10 Sec.  
Static Electrical Characteristics  
Characteristic / Test Conditions  
Unit  
Symbol  
V(BR)CES  
VGE(TH)  
Min  
Typ  
Max  
-
1200  
-
5.5  
3.2  
4.0  
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 5mA)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 4mA, Tj = 25°C)  
Collector Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 100A, Tj = 25°C)  
Collector Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 100A, Tj = 125°C)  
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C) 2  
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C) 2  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
4.5  
6.5  
3.7  
-
Volts  
2.7  
VCE(ON)  
-
-
-
-
-
300  
1500  
600  
-
μA  
ICES  
-
IGES  
-
nA  
Integrated Gate Resistor  
RG(int)  
5
Ω
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234567...9

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与APT100GT120JRDL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT100GT120JRDLG MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 123A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, I
APT100GT120JRDQ4 MICROSEMI

获取价格

 		Thunderbolt IGBT
APT100GT120JU2 MICROSEMI

获取价格

 		ISOTOP Boost chopper Trench + Field Stop IGBT
APT100GT120JU2-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silicon ty
APT100GT120JU3 MICROSEMI

获取价格

 		ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT100GT120JU3 ADPOW

获取价格

 		ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT100GT120JU3-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silicon typ
APT100GT60B2R MICROSEMI

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 		Thunderbolt IGBT
APT100GT60B2RG MICROSEMI

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 		Thunderbolt IGBT
APT100GT60JR ADPOW

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 		Thunderbolt IGBT

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