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APT100GN60B2G

更新时间： 2024-11-25 08:33:15
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 398K
描述
IGBT

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APT100GN60B2G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.62Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：229 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：435 ns标称接通时间 (ton)：96 ns
Base Number Matches：1

APT100GN60B2G 数据手册

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600V  
APT100GN60B2  
APT100GN60B2G*  
®
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.  
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra  
low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum  
conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and  
a slightly positive VCE(ON) temperature coefficient. A built-in gate resistor ensures  
extremely reliable operation, even in the event of a short circuit fault. Low gate charge  
simplifies gate drive design and minimizes losses.  
T-Max®  
®
G
C
E
• 600V Field Stop  
• Trench Gate: Low VCE(on)  
• Easy Paralleling  
C
• 6µs Short Circuit Capability  
• Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability  
G
E
Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
Symbol  
APT100GN60B2(G)  
UNIT  
VCES  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
600  
Volts  
VGE  
IC1  
±30  
229  
135  
300  
8
8
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
@ TC = 25°C  
@ TC = 110°C  
IC2  
Amps  
1
ICM  
Pulsed Collector Current  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 175°C  
300A @ 600V  
625  
SSOA  
PD  
Total Power Dissipation  
Watts  
°C  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 175  
300  
TL  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
Units  
V(BR)CES  
VGE(TH)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 4mA)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 100A, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 100A, Tj = 125°C)  
600  
5.0  
5.8  
6.5  
Volts  
1.05  
1.45  
1.87  
1.85  
VCE(ON)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
25  
ICES  
µA  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
TBD  
600  
IGES  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
Intergrated Gate Resistor  
nA  
RG(int)  
Ω
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
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