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APT100F50J

更新时间： 2024-10-02 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		/
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4页	142K
描述
N-Channel FREDFET

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APT100F50J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	ISOTOP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	2.29
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	3350 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.038 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	490 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT100F50J 数据手册

APT100F50J

500V, 103A, 0.036Ω Max, t ≤390ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low

switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low C_rss"Miller" capaci-

tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,

even when switching at very high frequency. Reliability in ﬂyback, boost, forward, and

other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.

-2

"UL Recognized"

file # E145592

ISOTOP^®

APT100F50J

Single die FREDFET

TYPICAL APPLICATIONS

FEATURES

• ZVS phase shifted and other full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

for improved noise immunity

rss

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Ratings

103

Unit

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

490

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

3350

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

960

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case Thermal Resistance

R_θJC

0.13

°C/W

R_θCS

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

Operating and Storage Junction Temperature Range

0.15

T_J,T_STG

V_Isolation

°C

-55

150

RMS Voltage (50-60hHz Sinusoidal Waveform from Terminals to Mounting Base for 1 Min.)

2500

1.03

29.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Terminals and Mounting Screws.

1.1

MicrosemiWebsite-http://www.microsemi.com

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