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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-264, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 330 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 295 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 320 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 194 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT100GLQ65JU2-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 3 fastLow voltage dropLow leakage currentLow switching lossesKelvin emitter for easy |
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| APT100GLQ65JU3-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 3 fastLow voltage dropLow leakage currentLow switching lossesKelvin emitter for easy |
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| APT100GN120B2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT100GN120B2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT100GN120J | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT100GN120J | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN120JDQ4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT100GN60B2 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN60B2G | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT100GN60B2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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