AP9997GK

更新时间： 2024-09-29 06:37:19

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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4页	95K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9997GK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	3.2 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP9997GK 数据手册

AP9997GK

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

100V

120mΩ

3.2A

▼ Lower Gate Charge

▼ Fast Switching Characteristic

SOT-223

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

low on-resistance and cost-effectiveness.

The SOT-223 package is designed for suface mount

application, larger heatsink than SO-8 and SOT package.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

100

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

3.2

2.6

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

2.8

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201006153

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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