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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 0.400 INCH, SOJ-28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ28,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.025 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9A102A-20VI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| AP9A102A-25VC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| AP9A102A-25VI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| AP9A102B-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-10VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-12VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-12VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-15VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
|
| AP9A102B-15VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
|
| AP9A102B-6VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 6ns, CMOS, PDSO28 |
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