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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9A102A-20VI | ETC |
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x4 SRAM |
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| AP9A102A-25VC | ETC |
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x4 SRAM |
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| AP9A102A-25VI | ETC |
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x4 SRAM |
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| AP9A102B-10VC | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-10VI | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-12VC | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-12VI | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-15VC | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-15VI | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-6VC | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 6ns, CMOS, PDSO28 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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