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AP9A104-20VC

更新时间: 2024-11-25 20:31:31
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 615K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44

AP9A104-20VC 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.400 INCH, SOJ-44Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
长度:28.5745 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ44,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.759 mm
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AP9A104-20VC 数据手册

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