5秒后页面跳转
AP9A107A-20VI PDF预览

AP9A107A-20VI

更新时间: 2024-01-30 19:24:44
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 319K
描述
x8 SRAM

AP9A107A-20VI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.400 INCH, SOJ-32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.025 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.15 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

AP9A107A-20VI 数据手册

 浏览型号AP9A107A-20VI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP9A107A-20VI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP9A107A-20VI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP9A107A-20VI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AP9A107A-20VI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AP9A107A-20VI的Datasheet PDF文件第7页