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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 0.400 INCH, SOJ-32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 21 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ32,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.7 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.2 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9A107B-12VI | ETC |
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x8 SRAM |
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| AP9A107B-15TC | ETC |
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x8 SRAM |
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| AP9A107B-15VC | ETC |
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x8 SRAM |
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| AP9A107B-15VI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| AP9A107B-20TC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| AP9A107B-20VC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| AP9A107B-20VI | ETC |
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x8 SRAM |
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| AP9A108-10V3C | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9A108-10VC | ETC |
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x8 SRAM |
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| AP9A108-12TC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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