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AP9A108-20V3I

更新时间: 2024-01-10 23:44:04
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 320K
描述
Cache SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32

AP9A108-20V3I 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

AP9A108-20V3I 数据手册

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