生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 12 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9A110L-12V3I | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-12VC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-12VI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-15V3C | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-15V3I | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-15VC | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-15VI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A111-10V3C | ISSI |
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Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A111-10VC | ISSI |
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Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A111-6V3C | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 6ns, CMOS, PDSO32 |