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AP9A110-12VC

更新时间: 2024-09-09 20:09:27
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 258K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32

AP9A110-12VC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00025 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

AP9A110-12VC 数据手册

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