是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00025 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.09 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9A110-12VI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110-15V3C | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110-15V3I | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110-15VC | ETC |
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x8 SRAM | |
AP9A110-15VI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110-20VC | ETC |
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x8 SRAM | |
AP9A110L-12V3C | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-12V3I | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-12VC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 | |
AP9A110L-12VI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |