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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOJ, SOJ28,.44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ28,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9A102B-15VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-6VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 6ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-8VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-8VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102BL-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102BL-10VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102BL-12VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102BL-12VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102BL-15VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102BL-15VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
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