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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 800 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP99T03GS | A-POWER |
获取价格 |
TO-263 |
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| AP99T03GS-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| AP99T06AGI-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic |
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| AP99T06AGP-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance, Fast Switching Characteristic |
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| AP99T06GP | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 120 A, 60 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT |
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| AP99T06GP-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance, Fast Switching Characteristic |
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| AP9A102A-20VC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| AP9A102A-20VI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| AP9A102A-25VC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| AP9A102A-25VI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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