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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 800 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP99T06AGI-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic |
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| AP99T06AGP-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance, Fast Switching Characteristic |
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| AP99T06GP | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 120 A, 60 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT |
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| AP99T06GP-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance, Fast Switching Characteristic |
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| AP9A102A-20VC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| AP9A102A-20VI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| AP9A102A-25VC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| AP9A102A-25VI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| AP9A102B-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 |
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| AP9A102B-10VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 |
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