AP9972GI

更新时间： 2024-11-18 08:32:11

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9972GI 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP9972GI 数据手册

AP9972GI

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

18mΩ

35A

▼ Single Drive Requirement

▼ Lower On-resistance

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

TO-220CFM(I)

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220CFM isolation package is universally preferred for all

commercial-industrial through hole applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±25

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

120

31.3

0.25

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200105051

12 3 4

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