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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 230 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9972GP-HF | A-POWER |
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Simple Drive Requirement |
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| AP9972GR | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9972GR_09 | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9972GR-HF | A-POWER |
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暂无描述 |
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| AP9972GS | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9972GS,P-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9972GS-HF | A-POWER |
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TRANSISTOR 60 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND |
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| AP9972GS-HF_14 | A-POWER |
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Single Drive Requirement |
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| AP9972GS-HF_16 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement |
|
| AP9973GD | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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