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AP9973GJ PDF预览

AP9973GJ

更新时间： 2024-11-21 20:02:35
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 98K
描述
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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AP9973GJ 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.65配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP9973GJ 数据手册

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AP9973GH/J  
RoHS-compliant Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Low Gate Charge  
D
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
60V  
80mΩ  
14A  
▼ Single Drive Requirement  
▼ Surface Mount Package  
G
S
Description  
G
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-  
effectiveness.  
D
S
TO-252(H)  
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP9973GJ) are  
available for low-profile applications.  
G
D
S
TO-251(J)  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
60  
+20  
Gate-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
14  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
9
A
40  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
27  
W
Linear Derating Factor  
0.22  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
4.5  
Unit  
℃/W  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
Rthj-a  
62.5  
110  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
1
200903124  
1234

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与AP9973GJ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP9973GJ-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9973GJ-HF_14 A-POWER

获取价格

 		Single Drive Requirement
AP9973GM A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9973GP A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9973GS A-POWER

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