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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.64 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 230 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9972GS-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Single Drive Requirement |
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| AP9972GS-HF_16 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP9973GD | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9973GH | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACK |
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| AP9973GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9973GH-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Single Drive Requirement |
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| AP9973GI | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9973GJ | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACK |
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| AP9973GJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9973GJ-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Single Drive Requirement |
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