2N5627

更新时间： 2024-01-10 21:57:33

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	119K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5627 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2N5627 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors 2N5621 2N5623 2N5625 2N5627

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For audio and general-purpose

applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-80

UNIT

2N5621

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

2N5623/5625

2N5627

-100

-120

-60

2N5621

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25℃

2N5623/5625

2N5627

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

-10

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

℃

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.5

℃/W

12 3

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