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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5628E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5629 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5629 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5629 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5629 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5629 | FAIRCHILD |
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Transistor, |
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| 2N5629 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5629 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5629 | NJSEMI |
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5630 | NJSEMI |
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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