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934065972112

更新时间： 2024-11-11 19:48:55
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恩智浦 - NXP 放大器晶体管
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17页 665K
描述
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2

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934065972112 技术参数

生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

934065972112 数据手册

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BLS6G2735L-30;  
BLS6G2735LS-30  
S-band LDMOS transistor  
Rev. 3 — 24 September 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
30 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from  
2.7 GHz to 3.5 GHz.  
Table 1.  
Application information  
Typical RF performance at Tcase = 25 C; tp = 300 s; = 10 %; IDq = 50 mA.  
Test signal  
f
VDS  
(V)  
PL  
Gp  
D  
tr  
tf  
(GHz)  
(W)  
(dB)  
(%)  
(ns)  
(ns)  
Typical RF performance in a class-AB production test circuit in band 3.1 GHz to 3.5 GHz  
pulsed RF  
Typical RF performance in an application circuit in small band 2.7 GHz to 3.3 GHz  
pulsed RF 2.7 to 3.3 32 35 14 50 20  
Typical RF performance in an application circuit in small band 2.7 GHz to 3.5 GHz  
pulsed RF 2.7 to 3.5 32 30 12 47 20  
3.1 to 3.5 32  
30  
13  
50  
20  
10  
10  
10  
1.2 Features and benefits  
Integrated ESD protection  
Excellent ruggedness  
High efficiency  
Excellent thermal stability  
Designed for broadband operation (2.7 GHz to 3.5 GHz)  
Internally matched for ease of use  
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances  
(RoHS)  
1.3 Applications  
S-band radar applications in the frequency range 2.7 GHz to 3.5 GHz  
1234567...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		900mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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