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934064344112

更新时间： 2024-11-11 19:53:27

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恩智浦 - NXP		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	181K
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2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

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934064344112 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

934064344112 数据手册

BLF7G20L-90P;

BLF7G20LS-90P

Power LDMOS transistor

Rev. 2 — 20 October 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

90 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

1800 MHz to 2000 MHz, designed for operation at 1427 MHz to1525 MHz, 1805 MHz to

1880 MHz and 2110 MHz to 2170 MHz.

Table 1.

Typical performance

Typical RF performance at T_case= 25 C in a common source class-AB production test circuit.

Mode of operation

I_Dq

V_DSP_L(AV)

G_p

_D

ACPR_400k

ACPR_600k

EVM_rms

(MHz)

(mA) (V)

(W)

(dB) (%) (dBc)

(dBc)

(%)

1805 to 1880

550

GSM EDGE

19.5 41

61

74

2.5

1.2 Features and benefits

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Low R_thproviding excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (1427 MHz to1525 MHz, 1805 MHz to 1880 MHz

and 2110 MHz to 2170 MHz)

 Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

 Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability

 Internally matched for ease of use

 Integrated ESD protection

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the frequency

bands of 1427 MHz to 1525 MHz, 1805 MHz to 1880 MHz and 2110 MHz to

2170 MHz.

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
934064445112	NXP	获取价格	VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934064446112	NXP	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934064447112	NXP	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934064468127	NXP	获取价格	120A, 55V, 0.0048ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
934064571112	NXP	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934064576112	NXP	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934064588118	NXP	获取价格	2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934064589115	NXP	获取价格	C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4
934064594118	NXP	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934064624215	NXP	获取价格	20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

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