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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 934064987115 | NXP |
获取价格 |
320mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
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| 934064993112 | NXP |
获取价格 |
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
|
| 934064993118 | NXP |
获取价格 |
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
|
| 934064995112 | NXP |
获取价格 |
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| 934065013215 | NXP |
获取价格 |
600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| 934065072115 | NXP |
获取价格 |
100A, 30V, 0.0014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4 |
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| 934065074115 | NXP |
获取价格 |
100A, 25V, 0.00125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4 |
|
| 934065075115 | NXP |
获取价格 |
84A, 25V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4 |
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| 934065122112 | NXP |
获取价格 |
2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| 934065159127 | NXP |
获取价格 |
120A, 30V, 0.0014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 |
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